細胞損傷儀（Cell Injury Controller II）采取電子式控制，適合腦源性細胞培養樣品，或其它離體培養細胞的牽張性（strain-induced trauma）損傷模型制作。損傷后可進行神經生化、形態學、生理學，藥物干預等方面的研究。

細胞損傷控制儀設計的組織培養系統。細胞損傷控制儀把壓縮氣體送到每個培養室，以造成培養組織牽張性的損傷，損傷的嚴重程度是通過控制進出密閉培養室的氣體量來實現。培養室的峰值壓力同時被記錄下來，這個數值可以用來精確地表明引起牽張性細胞損傷的氣壓值。

細胞損傷控制儀（CIC II）可以搭配Flex I® 29.45cm2 culturing trays I (針對VCU早期的細胞損傷控制儀)或BioFlex® 57.75cm2 culturing trays。

根據所采用的細胞種類、損傷的程度、培養的狀況，受損后的細胞或許會因為上述因素死亡或修復，所以VCU的細胞損傷控制儀(CIC II)很適合應用在下列損傷反應研究：細胞受損、修護，死亡，藥物介入。

主要技術參數：

采用電子式控制，適合腦源性細胞培養樣品的制作

適合細胞受損、修護，死亡，藥物介入等方面研究

使用Flexcell Int’l corp組織培養系統

帶獨立的細胞培養室，通過控制輸入的氣體量實現細胞損傷

膜伸展程度：120%-155%

膜變形范圍：5.5mm-7.5mm

傷等效峰值壓力范圍：8.2-11.5PSI

培養室的峰值壓力可被實時被記錄下來

可以搭配Flex I® 29.45cm2 culturing trays I或BioFlex® 57.75cm2 culturing trays。

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